В СПбГЭТУ ЛЭТИ создали Институт силовой электроники и фотоники

Иллюстративное фото: Роман Пименов/«Петербургский дневник».

В последние десятилетия электроника (в основном выполненная на компонентной базе из кремния) приблизилась к пределу своих возможностей по целому ряду ключевых характеристик, среди которых легкость, компактность, быстродействие и возможность работать в тяжелых условиях (например, в космосе, при высоких перегрузках или в условиях радиации), сообщили в СПбГЭТУ «ЛЭТИ».

В то же время, преодоление данных ограничений открывает широкие перспективы для развития самых разных отраслей промышленности: автомобилестроение, двигателестроение, самолетостроение, машиностроение, бытовая техника (компьютеры, планшеты, беспилотники, медицинское оборудование, мобильные телефоны и проч.). Однако для этого электронике требуется осуществить переход на более совершенный класс материалов.

После того, как наш университет стал участником программы «Приоритет 2030», усилилось взаимодействие вуза с компаниями и предприятиями в сфере электроники, рассказал проректор по научной и инновационной деятельности СПбГЭТУ «ЛЭТИ» Александр Семенов.

«Для упрощения работы по крупнейшим проектам с промышленностью мы создали специальное подразделение – Институт силовой электроники и фотоники. Он займется разработками новой электронной компонентой базы, в частности на карбиде кремния».

«Ядром» нового института станет Центр микротехнологии и диагностики (ИЦ ЦМИД), а также ряд научных коллективов кафедры микро- и наноэлектроники. В частности, лаборатория под руководством профессора Андрея Лебедева, специалисты которой занимаются ростом кристаллов карбида кремния для производства на его основе электронных компонентов. Еще одна группа ученых в рамках института займется созданием на основе карбида кремния УФ-фотоприемниками (компонент фотонной электроники).

Количество сотрудников нового структурного подразделения составляет около 60 человек, директором назначен Алексей Афанасьев.

Ученые Института силовой электроники и фотоники уже приступили к реализации ряда проектов с индустриальными партнерами. Так, совместно с НИИ измерительных систем им. Ю. Е Седокова (филиал ФГУП «Российский ядерный центр – Всероссийский НИИ экспериментальной физики», который входит в Росатом) ведется работа по разработке электронных компонентов (диодов Шоттки) на основе карбида кремния. Другой проект, реализуемый вместе с Александровским заводом полупроводниковых приборов ООО «Крип Техно», посвящен получению особо чистого сырья для производства карбида кремния.

В дальнейшем Институт силовой электроники и фотоники подключится к проектам предприятия ООО «ЛЭТИЭЛ», которое создается совместными усилиями ЛЭТИ и ПАО «Элемент». Задачей предприятия является разработка и исследование технологий производства карбид-кремниевых приборов. На их основе ЛЭТИ в рамках реализации программы «Приоритет 2030» совместно с ПАО «Элемент» планирует сформировать современную и конкурентоспособную линейку технологий и продуктов силовой электроники для различных отраслей промышленности.