В Москве начнут выращивать пластины из оксида галлия
Московская компания «Рокор» разрабатывает пластин из оксида галлия, которые могут быть использованы в производстве зарядок для автомобилей, солнечных батарей, чипов, микросхем, плат и транзисторов, сообщает пресс-служба столичной мэрии.
Фото: Пресс-служба мэрии Москвы
Уникальная отечественная разработка предполагает занять нишу полупроводниковых материалов современного — четвертого — поколения. Потенциальными покупателями могут стать мировые производители электронных изделий и приборов.
«Выращивание кристаллов оксида галлия — одно из условий, необходимых для производства большинства электронных компонентных баз. Зарядки для электромобилей, солнечные батареи, чипы и микросхемы, платы, транзисторы и другие товары, для создания которых нужны полупроводники, подойдут для размещения пластин. Использование оксида галлия сегодня осложнено из-за существующих технологий. Разработка предполагает иную технологию и позволит в кратно снизить производственную стоимость, а также снимет на мировом рынке ограничения по доступности и требуемому количеству материала», — рассказал и.о. руководителя Департамента инвестиционной и промышленной политики Владислав Овчинский.
Отсутствие этих ограничений позволит ускорить темпы внедрения зеленых технологий и нарастить производство наиболее современной микроэлектронной продукции. Сегодня на рынке наблюдается дефицит полупроводников четвертого поколения, эта разработка будет способна полностью его устранить в случае ее успешной реализации.
Области применения разработки — от военной промышленности и силовой электроники до возобновляемой энергии и фотоники.
Сейчас цена одной 100-миллиметровой пластины японского производства составляет примерно 6,4 тысячи долларов, в то время как прогнозируемая стоимость отечественного изделия может быть вдвое меньше.
Специалисты уже на высокой стадии проведения научно-исследовательские и опытно-конструкторские работ. Уникальное технологическое оборудование, а также невозможность прямого повторения технологических режимов на этапе выращивания кристалла дает компании временное и технологическое конкурентное преимущество на ближайшие пять — восемь лет.