Силовые транзисторы на основе нитрида галлия разработки «НИИЭТ» успешно прошли испытания

Фото: «НИИЭТ».

Выполненные исследования и полученные результаты позволяют предприятиям исключить дорогостоящий этап выполнения научно-исследовательских работ по анализу возможности и перспектив применения транзисторов на основе нитрида галлия (GaN) и сразу приступить к реализации опытно-конструкторских работ по разработке целевой аппаратуры на базе этих изделий.

Испытания подтвердили возможность применения изделий АО «НИИЭТ» в силовой преобразовательной технике при использовании с запасом по току стока и напряжению сток-исток. Кроме того, были сформулированы рекомендации по схемотехническим решениям.

Второе испытание прошло в лаборатории преобразовательной техники кафедры электроники факультета радиотехники и электроники Новосибирского государственного технического университета с целью исследования динамики работы GaN-транзистора.

Независимые эксперты в области силовой электроники подтвердили данными испытаниями заявленные АО «НИИЭТ» характеристики транзисторов и возможность реализации на их основе электронных модулей и блоков с характеристиками, превосходящими возможности традиционных кремниевых транзисторов.

Силовые транзисторы на основе технологии нитрида галлия серии ТНГ-КВ разработаны АО «НИИЭТ» для работы в ключевом режиме. Изделия обладают быстрым и контролируемым временем спада и нарастания. Спектр применения данных транзисторов очень широк. Они будут оптимальны в зарядных устройствах для различных гаджетов и электромобилей, системах управления электродвигателями, системах преобразования электрической энергии для альтернативных источников, системах питания беспроводных устройств и космических аппаратов, робототехнике и даже в медицинских изделиях.

На предприятии работы в области GaN-технологии ведутся уже более 10 лет.

По словам разработчиков, нитрид галлия отличается от кремния повышенной подвижностью электронов и увеличенной электрической прочностью. Это означает, что при одинаковых значениях сопротивления и пробивного напряжения GaN-транзистор имеет меньшие размеры и меньшие межэлектродные емкости по сравнению с кремниевым аналогом.

Это обеспечивает вдвое выше удельные токи и на два порядка большие рабочие частоты GaN-транзисторов по сравнению с кремниевыми приборами.

Нитрид-галлиевая (GaN) технология внесена в ключевое направление «Научно-техническое развитие» Стратегии развития электронной промышленности Российской Федерации на период до 2030 года.