"Микроэлектроника-2026": будущее полярных материалов в микро- и наноэлектронике
На базе секции № 13 "Материалы микро- и наноэлектроники, диагностика материалов и элементов электронной компонентной базы" научной конференции форума "Микроэлектроника-2026" пройдёт круглый стол "Перспективные пьезо- и сегнетоэлектрические материалы для микро- и наноэлектроники, акустоэлектроники, фотоники и сенсорики: синтез и применение".

ИСТОЧНИК ИЛЛЮСТРАЦИИ: Форум "Микроэлектроника-2026".
Об этом MASHNEWS рассказали организатора форума.
"Цель круглого стола – выработать новое, более глубокое понимание вызовов, стоящих перед отечественными наукой и наукоёмкими отраслями промышленности, наметить пути и перспективы решения важнейших вопросов построения программы получения перспективных полярных материалов и развития технологий для формирования передовых устройств микро- и наноэлектроники, акустоэлектроники, фотоники и сенсорики как одного из базовых элементов обеспечения технологического суверенитета", — говорится в сообщении.
Перспективы развития нано- и микроэлектроники связаны с созданием гибридных систем "пьезоэлектрик/полупроводник", которые позволяют интегрировать задачи передачи и обработки информации по электронным и оптическим каналам.
Использование пьезоэлектрических материалов позволяет ускорить передачу информации между ядрами процессоров, создавать пьезогенераторы для питания микросхем и процессоров, создавать нейроморфные процессоры. Пьезоэлектрические материалы играют важную роль в телекоммуникационных системах для обработки и передачи информации в режиме реального времени при использовании поверхностных и объемных акустических волн.
Большое значение такие материалы имеют для развития мобильных сетей 6G и 7G.
Не менее важную роль пьезоэлектрические материалы играют в развитии сенсорики, где необходимо создание датчиков физических величин на прямом пьезоэлектрическом эффекте или акустических резонаторах в условиях беспроводных коммуникаций.
Отмечается, что для развития упомянутых направлений необходим поиск не только новых подходов и решений при создании интегральных устройств акустоэлектроники и фотоники, но и новых перспективных материалов с уникальными физическими свойствами (высокие значения пьезоэлектрических модулей и высокие значения скоростей акустических волн).
Большое развитие данное направление может получить с использованием низкоразмерных 1D-материалов (наностержни ZnO и AlN) и развитием технологий миниатюризации акустоэлектронных устройств на основе процессов электроннолучевой и ионнолучевой литографии.
Возможность гибридизации пьезоэлектрических и полупроводниковых материалов в перспективе откроет новую эру в микроэлектронике, подчёркивают учёные.
Поиск новых материалов неразрывно связан с развитием методов материаловедения и диагностики материалов и элементной базы микроэлектроники — только такой подход позволяет исследовать физические свойства материалов и определить их место в современной электронике.
В ходе круглого стола предполагается обсудить следующие вопросы:
• Подготовка кадров, базовое образование в университетах в области получения и исследования полярных материалов;
• Методы и оборудование для производства полярных диэлектрических кристаллов;
• Объемные монокристаллы и низкоразмерные 1D-кристаллы;
• Развитие методов диагностики и материаловедения полярных материалов: электронная микроскопия, рентгеновские методы исследования структуры и свойств, атомно-силовая микроскопия;
• Сырьевая база для производства полярных материалов, исходная шихта;
• Новые подходы в фотонике и сенсорике.
Модераторами круглого стола выступают:
• д. ф.-м. н., член-корреспондент РАН Рощупкин Дмитрий Валентинович;
• д. т. н. Бокарев Валерий Павлович.
Приглашены к выступлению:
• Грачев С. Н., замруководителя департамента металлургии и материалов Минпромторга;
• к. т. н. Машинин О. В., ООО БУТИС;
• Сорокин Б. П., Курчатовский комплекс технологических исследований сверхтвердых и новых углеродных материалов, Лаборатория физической акустики и акустоэлектронных устройств;
• д. т. н., член-корреспондент РАН Бородин В. А., ЭЗАН;
• д. т. н. Бокарев В. П., НИИМЭ.
Присоединяйтесь к дискуссии, чтобы внести вклад в развитие перспективных материалов для прогресса отечественной микроэлектроники!
Следите за анонсами о зале и времени проведения мероприятия.