ИФП разработает технологию для фотоприемников Зеленоградского нанотехнологического центра

Институт физики полупроводников имени А.В. Ржанова (ИФП) намерен разработать технологию для производства фотоприемников, используемых в фотонных интегральных схемах. Заказчиком выступает Зеленоградский нанотехнологический центр, сообщают в Институте.

Фото: Пресс-служба ИФП СО РАН, Надежда Дмитриева

В рамках проекта, поддержанного Российским научным фондом, в ИФП собираются разработать технологический процесс формирования эпитаксиальных слоев германия для pin-диодов длиной волны 1,31 мкм.

Разработка займет два года, финансирование проекта оценивается в 60 млн рублей.

Фотонная интегральная схема будет состоять из лазера, фотоприемника, а также электронных компонентов, для обработки оптического сигнала.

«Лазер будут делать коллеги из Физико-технического института им А.Ф. Иоффе (Санкт-Петербург), а мы отвечаем за полупроводниковый материал для фотоприемника. Разработкой всей фотонной интегральной схемы займется АО “ЗНТЦ”, — сообщил руководитель проекта заведующий лабораторией ИФП СО РАН доктор физико-математических наук Александр Никифоров.